Установка контроля профиля поверхности полупроводниковых пластин

Установка предназначена для контроля неплоскостности полупроводниковых пластин без фоторезиста. Метод контроля основан на принципе интерферометрии с использованием управляемого полупроводникового лазера.

Диаметр контролируемых пластин 100, 150, 200, 300 мм;
Пределы погрешности ±0,1 мкм;
Диапазон измеряемого клина – до 30 мкм.

Установка внедрена на НПО «Интеграл»,  заводах «Транзистор» и «Камертон».

Патенты РБ № 5616 и № 12908.