Факультет радиофизики и компьютерных технологий

Основные публикации:

1. Komarov F.F. Resistive Switching in ITO/SiNx/Si Structures / F.F.Komarov, I.A.Romanov, L.A.Vlasukova, I.N.Parkhomenko, A.A.Tsivako, N.S.Kovalchuk // Technical Physics, Vol. 66, № 1, 2021, P. 133-138.
2. Parkhomenko I. Luminescence of ZnO nanocrystals in silica synthesized by dual (Zn,O) implantation and thermal annealing / I.Parkhomenko, L.Vlasukova, F.Komarov, M.Makhavikov, E.Wendler, M.Zapf, C.Ronning // J. Phys. D: Appl. Phys. Vol. 65, 2021, 265104 (9pp).
3. Романов И.А. Процессы деградации электролюминесценции светоизлучающих структур на основе тонких пленок оксида и нитрида кремния / И.А.Романов, Ф.Ф.Комаров, Л.А.Власукова, И.Н.Пархоменко, Н.С.Ковальчук // ДАНБ, Т. 65, № 2, 2021, С. 158-167.
4. Komarov F.F. Effect of Pulsed Laser Annealing on Optical Properties of Selenium Hyperdoped Silicon / F.F.Komarov, I.N.Parkhomenko, O.V.Milchanin, G.D.Ivlev, L.A. Vlasukova, Yu.Zuk, A.A.Tsivako, N.S.Kovalchuk // Optics and Spectroscopy, 2021, №8, P. 1149-1159.
5. Комаров Ф.Ф. Слои кремния, гиперпересыщенные тулуром для фотодиодов видимого и инфракрасного диапазонов / Ф.Ф.Комаров, С.Б.Ластовский, И.А.Романов, И.Н.Пархоменко, Л.А.Власукова, Г.Д.Ивлев, Y.Berencen, А.А.Цивако, Н.С.Ковальчук, E.Wendler // Журнал технической физики, 2021, № 12, С. 2028-2039.

Сотрудничество:

• Йенский университет им. Ф.Шиллера, Германия;
• Университет имени М.Кюри-Склодовской, Польша;
• Университет Trinity College Dublin, г. Дублин, Ирландия;
• Евразийский национальный университет им. Л.Н.Гумилева, Казахстан.

Разрабатываются численные модели переноса носителей заряда в полупроводниковых приборных структурах микро- и наноэлектроники на основе метода Монте-Карло, а также соответствующие алгоритмы и компьютерные программы. Разработанные программные комплексы используются для расчета электрофизических свойств и электрических характеристик современных ИМС. Полученные результаты находят применение при разработке и проектировании современной элементной базы микро- и наноэлектроники, предназначенной, в частности, для космической и высоконадёжной электроники.

Основные публикации:

1. Borzdov, A.V. Efficiency of terahertz harmonic generation in GaAs quantum wire structure: a Monte Carlo simulation / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, V. A. Labunov, V. V. V'yurkov // Proc. SPIE. – 2019. – V. 11022. — P. 110220L-1–110220L-5.
2. Borzdov, A. V. Monte Carlo simulation of terahertz harmonic generation in GaAs quantum wire structure / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, V. A. Labunov // International Journal of Materials. – 2017. – Vol. 4. – Р. 70 73.
3. A.V. Borzdov, V.M. Borzdov, V.V. Vyurkov Monte Carlo simulation of picosecond laser irradiation photoresponse of deep submicron SOI MOSFET // // Proc. SPIE. — 2022. — Vol. 12157. — P. 121570Y-1–121570Y-6.
4. Borzdov, A.V. Monte Carlo simulation of pulsed laser irradiation effect on electrical characteristics of submicron SOI MOSFET / A.V. Borzdov, V.M. Borzdov // Interaction of Radiation with Solids: Proceedings of the 13th International conference, Minsk, Belarus, September 30 – October 3, 2019 / ed.: V. V. Uglov [et al.]. — Minsk: BSU, 2019. — P. 23–25.

Сотрудничество:

• Физико-технологическим институтом Российской академии наук, г. Москва, Россия.