Факультет радиофизики и компьютерных технологий

Родился 9 февраля 1948 г. в г. Нижние-Серги, Свердловской области, РФ.

С 1966 по 1971 гг. студент физического факультета БГУ. После окончания БГУ по специализации «теплофизика» работал инженером в лаборатории теплозащиты ИТМО АН БССР. С 1973 по 1982 гг. работал на кафедре физической электроники БГУ старшим инженером. С 1982 г. и по настоящее время работает в должности старшего научного сотрудника кафедры физической электроники и нанотехнологий.

Проводил внедрение научных разработок кафедры (систем управления реактивным магнетронным распылением) в производственные технологические процессы на ведущих предприятиях РБ: СКБ «Немига», НПО «ИНТЕГРАЛ» и ОАО «Минский часовой завод».

• Физика тонких пленок и малых частиц;
• Лабораторные занятия по курсу «Основы радиоэлектроники».

• методы осаждения и формирования структур на основе соединений Si, Ge;
• оптические методы исследования тонкопленочных структур;
• магнетронные технологии формирования оксидов и нитридов металлов.

Имеет более 40 научных работ. Основные из них:

‑ Зайков В.А., Гайдук П.И., Новиков А.Г., Прокопьев С.Л., Турцевич А.С., Наливайко О.Ю., Пшеничный Е.Н., Карпович В.Б. Формирование нанослоев Ge пиролизом моногермана при пониженном давлении. Вестник БГУ. Сер.1. Физика. Математика. Информатика. 2011, № 1.

‑ Зайков В.А., Гайдук П.И., Новиков А.Г., Прокопьев С.Л., Кивеня С.Ю, Наливайко О.Ю., Пшеничный Е.Н. LP CVD осаждение пленок SiGe и их свойства после легирования ионами B+ и отжига. Мат. 8-й Международной конференции ВИТТ-2009.

‑ Зайков В.А., Гайдук П.И., Гринько С.Н., Новиков А.Г., Наливайко О.Ю., Пшеничный Е.Н. Структурные и электрофизические свойства тонких Si1-xGex пленок после имплантации и последующего отжига. Материалы и структуры современной электроники. Сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф. 2008.

‑ Зайков В.А., Бурмаков А.П., Симолацер Е.В. Формирование наноразмерных структур SiO2(Si) методом управляемого реактивного магнетронного распыления. Мат. 7-й Международной конференции ВИТТ-2007.